Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BCR 108T E6327
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BCR 108T E6327-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 250 mW Surface Mount PG-SC75-3D
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12840178
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
X
U
s
D
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BCR 108T E6327 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
2.2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
170 MHz
Мощность - Макс
250 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
PG-SC75-3D
Базовый номер продукта
BCR 108
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BCR 108T E6327
HTML Спецификация
BCR 108T E6327-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BCR108TE6327
BCR108TE6327XT
SP000012799
BCR 108T E6327-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
DTC123JCAT116
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
366
Номер части
DTC123JCAT116-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DDTC123JCA-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
411469
Номер части
DDTC123JCA-7-F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DTC123JKAT146
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
154870
Номер части
DTC123JKAT146-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
MUN2235T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8817
Номер части
MUN2235T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PDTC123JT,235
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
100681
Номер части
PDTC123JT,235-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.01
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BCR 108 B6327
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
MUN2137T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
MUN5137T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
DTC143EM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723